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氧化及低压化学气相沉积(Oxidation and LPCVD)
中国科学技术大学
RCH，5604
安徽省
我们目前尚未与中国科学技术大学提供的该仪器进行进一步的对接。如果您需要使用该仪器，建议您联系相关单位，以确定是否可以对外开放。您也可以通过 点击此处 提交需求，委托我们帮您联系相关单位。如果您选择通过我们联系相关单位进行送样测试，我们将为您提供以下保障：

检测范围

在石英炉管内，通过外部的加热元件将炉管内的温度升高，通入工艺气体，并控制温度、炉管内压 力等条件，在化学和物理作用下，实现氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的沉积制备。

仪器参数

兼容样品尺寸，6英寸和四英寸，最大样品数量75片。氧化硅沉积的厚度均匀性＋/-3%，工艺典型温度1100摄氏度；氮化硅厚度均匀性+/-3%，工艺典型温度800摄氏度；多晶硅沉积厚度均匀性+/-3%，典型沉积温度600摄氏度。
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