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原子层沉积系统(Atomic Layer Depostion)
中国科学技术大学
Pisosun，R200
安徽省
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检测范围

通过将气相前驱源脉冲交替地通入反应腔，分别化学吸附在衬底上反应生成薄膜材料，利用表面控 制和自限制性沉积原子层精度的薄膜。主要用于氧化硅、氧化铝、氮化钛、氧化铪等超薄薄膜沉 积。

仪器参数

样品尺寸：最大8寸；沉积脉冲周期：＜２ｓ（Al2O3）；工艺温度：＜500℃；前驱源： ? 三甲基铝 、四氯化钛、四（二甲胺）铪、三二甲氨基硅烷；前驱源管路：6套独立管路；沉积材料：氧化硅、氧化铝、氮化钛、氧化钛、氧化铪；典型沉积速率：0.01A~0.05A/s ；镀膜均匀性：优于±1%
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