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感应耦合等离子刻蚀设备
广东省半导体产业技术研究院
英国牛津仪器公司，PlasmaPro System 133ICP380
广东省
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检测范围

ICP刻蚀主要通过高频辉光放电反应，将反应气体解离为活性粒子，轰击刻蚀材料，同时与刻蚀材料进行反应来实现刻蚀。主要用于GaN、Al2O3、SiO2、Si3N4等材料的刻蚀。

仪器参数

ICP离子源：0-3000W  RF射频源：0-600W  样品尺寸：6英寸、4英寸、2英寸及碎片  基底刻蚀温度：-20℃-30℃可调  刻蚀气体：BCl3、Cl2、SF6、Ar、O2、CHF3  可刻蚀材料包括：GaN、Al2O3、SiO2、Si3N4等
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