ITO电子蒸发台
广东省半导体产业技术研究院
台湾聚昌科技股份有限公司,Peva-600I
广东省
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检测范围

用于半导体芯片制造环节中ITO、SiO2等化合物的蒸镀

仪器参数

基板尺寸:2、4、6英寸;  基板加热:最高温度350℃,控温精度1℃;  系统极限真空度:2×10-7 torr;  蒸发源数量:6个坩埚;  可蒸发材料:ITO、SiO2等膜厚均匀性:≤±5%;
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