检测范围
主要应用于LED及电子器件钝化膜的生长：大批量、高质量SiO2、SiNX薄膜生长；NH3 Free （不含H的SiNX）薄膜生长。本设备采用高低频控制系统，可以大大降低薄膜应力。
仪器参数
RF射频源：高频13.56MHz 功率0-300W 低频50-460KHz 功率0-500W 样品尺寸：6英寸、4英寸、2英寸及碎片 下电极可加热温度：室温-400℃可调 反应气体：CF4/O2、N2、N2O、SiH4/N2、NH3 可生长材料包括：SiO2、SiNX薄膜、不含H的SiNX薄膜、SiNOx薄膜
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