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金属有机化合物气相沉积系统（MOCVD）
广东省半导体产业技术研究院
德国AIXTRON有限公司，CRIUS31*2
广东省
我们目前尚未与广东省半导体产业技术研究院提供的该仪器进行进一步的对接。如果您需要使用该仪器，建议您联系相关单位，以确定是否可以对外开放。您也可以通过 点击此处 提交需求，委托我们帮您联系相关单位。如果您选择通过我们联系相关单位进行送样测试，我们将为您提供以下保障：

检测范围

用于生长高质量III-V族氮化物材料，包括GaN、AlGaN、InGaN体材料、微纳结构及近紫外——黄绿光波段的LED、激光器、光电探测器等光电器件，以及HEMT为代表的氮化物电力电子器件。

仪器参数

1、反应室最高温度1200℃，在500℃-1100℃温度波动2μm/h，背景载流子浓度5×1017cm-3  7、蓝光LED内量子效率>70%,片内、片间及run to run波长不均匀性
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