检测范围
适用于2、3、4英寸硅片及不规则碎片透明基片的光刻。
仪器参数
（1）双面对准：双CCD对准系统，放大倍率90×到600×连续可调，红外方式背面对准600×时图形分辨3μm；
（2）曝光：UV 365nm近紫外光源，11.8mw/cm2 @ 365nm (350W), 6英寸均匀光束；通道恒定光强控制器，均匀性为±2-3%( 4英寸)，±3-5%(6英寸)，光刻分辨率0.6μm；接近、和真空硬接触、软接触3种模式；曝光时间：0 ~ 999.9 s；5×5英寸真空掩模板夹持器。
仪器特色&服务特色
光刻胶做掩模曝光，ICP刻蚀间距4×5μm单晶硅空心圆柱矩阵等。
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