检测范围
该设备用于沉积SiOx，SiNx，多晶硅薄膜，所制薄膜可用于各种微器件电极钝化层或传感器与执行器的结构层。
仪器参数
（1）成膜范围直径大于200mm，基板温度低至300度，可以使用不少于4种工艺气体成膜，沉积及清洗过程控制数字化、自动化，成膜质量稳定。
（2）射频源：13.56MHZ
气路：N2O,SiH4,NH3,N2
清洗：CF4/O2混合气体
样品尺寸：8英寸
真空度：＜3×10-2Pa
温度范围：＜300℃
淀积材料：SiOx，SiNx，多晶硅
仪器特色&服务特色
被透明SiO2包裹的单晶硅微悬臂梁阵列 465×10×0.85 μm3单晶硅微悬臂梁阵列
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