检测范围
对材料进行快速升温降温处理，广泛用于离子注入后的杂质快速激活、超薄氧化物的快
速热氧化、硅化物及其热接触的形成等。
仪器参数
分为常压模式和真空模式（
仪器特色&服务特色
在半导体器研发制备工艺中，通过快速升降温实现离子注入后的杂质快速激活，降低杂质的扩散，是浅结制备的常用工艺；对石墨密封的GaAs退火，可以防止GaAs的热分解而且可以提高表面质量，防止颗粒沾污；通过控制反应腔内气氛，可以实现仅百埃的超薄氧化物、氮化物的生长；在硅上完成金属沉积后，利用RTP工艺可快速形成金属硅化物并实现其良好电接触等。
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