检测范围
经过磁场偏转的高能电子束在真空中对蒸发物料进行电子加热，蒸发材料挥发后沉积至样品表
面从而实现微纳米薄膜制备，包括金属、半导体、绝缘体等单质或化合物膜。
仪器参数
电子束蒸发源：最大功率10KV 固态电源功率10KW 样品尺寸：max 6英寸 真空度：10-7Torr 蒸发物料：Ti、Au、Pt、Al、Ag、Nb等 典型沉积速率：0.1A~10A/s 镀膜均匀性：优于±5%
仪器特色&服务特色
通过薄膜制备实现导电处理，从而进行铁硒材料的电场诱导高温超导电性研究以及功能化低维结构的制备、低维器件的物理基础及工艺研发等。
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