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反应离子刻蚀机(Reactive Ion Etching(RIE))
中国科学技术大学
Oxford instruments Plasma Technology，NGP80 RIE
安徽省
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检测范围

利用能与被刻蚀材料发生化学反应的气体，通过辉光放电使之形成等离子体，对基底表 面未被掩模覆盖的部分进行刻蚀。主要用于刻蚀氧化硅氮化硅，形成微纳米结构。

仪器参数

射频功率：300W 13.56MHz；反应气体：O2、Ar、CF4、CHF3、SF6；主要用于刻蚀SiNx、SiOx，刻蚀选择比约3：1；均匀性优于5%；最大兼容至6英寸；

仪器特色&服务特色

基于硅基材料的微纳米结构加工，如光波导器件、MEMS传感器、微波器件的加工等。
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