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金属刻蚀系统(Inductively Coupled Plasma Metal Etching (ICP Metal etching))
中国科学技术大学
Oxford instruments Plasma Technology，SYSTEM100 ICP180
安徽省
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检测范围

通过电感耦合等离子体辉光放电分解反应气体，对样品表面进行物理轰击以及化学反应，生成 挥发性气体，达到去除材料的目的。主要用于金属三五族元素聚合物等微纳米结构的刻蚀。

仪器参数

RF功率：600W@13.56MHz；ICP离子源：3KW 2MHz；下电极He背冷；反应气体：BCl3Cl2ArHBr等；晶圆最大兼容4英寸；刻蚀均匀性5%

仪器特色&服务特色

广泛应用于量子谐振器件、GaAs微波器件等的加工和研究。
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