检测范围
通过电感耦合等离子体辉光放电分解反应气体，对样品表面进行物理轰击以及化学反应，生
成挥发性气体，达到去除材料的目的。主要用于氧化硅硅（高深宽比）SOI碳化硅等微纳米结
构的刻蚀。刻蚀速率快，选择比高，均匀性好。
仪器参数
射频功率：600W13.56MHz 低频功率：300W 350KHz460KHz ICP离子源：5KW 2MHz 下电极具有加热和冷却功能，反应气体：O2ArC4F8CHF3SF6，可以进行SiSiOxSiCSOI等材料的刻蚀，最大兼容6英寸；
仪器特色&服务特色
电感耦合等离子体干法刻蚀技术(ICP)以其高密度高能量和刻蚀各向异性的特点被广泛应用于高深宽比准三维结构的微纳米加工，如仿壁虎吸盘的高深宽比硅微柱阵列的制备以及高精度X射线衍射波带片的制备等。
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