检测范围
在紫外光的照射作用下，借助光致抗刻蚀剂（光刻胶）将掩模版上的图形转移至基片上，从而
实现亚微米及以上线宽图形的转移和复制。
仪器参数
曝光模式真空硬接触软接触及临近模式最小线0.8um@真空模式对准精度0.5um@TSA1um@BSA均匀性2%@6英寸晶圆恒定光强：35mwcm2@365nm55mwcm2@405nm样品尺寸兼容2346及碎片具有双面对准功能
仪器特色&服务特色
进行半导体器件、隔离槽、接触孔、金属互连线等的微纳米图形产生，广泛应用于微纳加工、MEMS、LED、微流体芯片、半导体器件等加工。
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