检测范围
FIB（聚焦离子束，Focused Ion beam)是将液态金属(Ga)离子源产生的离子束经过离子枪
加速,聚焦后照射于样品表面产生二次电子信号取得电子像.实现离子束成像；也可利用用强电
流离子束对表面原子进行剥离,以完成微、纳米级表面形貌加工，结合电子束观测，可以有效
控制加工过
仪器参数
电子枪分辨率：0.8nm@15KV、0.9nm@1KV；离子枪加速电压：500V-30KV；电子枪加速电压：200V-30KV；样品台：XY150mm，piezo-driven；Z:10mm motorized；T：-10°～+60°；R:n x 360°，piezo-driven
仪器特色&服务特色
FIB是微米纳米级分析和加工的重要工具，在微纳米区域切割、电路修改、注入和改性等方面有着重要应用。FIB技术可以在SEM高分辨率的清晰图像下，远离离子束刻蚀或气体增强刻蚀，非常精确地在器件特定微区制作剖面。利用FIB溅射刻蚀或辅助气体溅射刻蚀可以方便地制作集成电路的切面，用来分析失效电路的设计错误或制造缺陷，分析电路制造中的成品率的原因，以及研究和改进对电路制造过程的控制。
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