检测范围
LPCVD 用于淀 积Poly－Si、Si3N4、SiO2、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅及难熔金属硅化物等多种薄膜。广泛应用于半导体集成电路、电力、 电子、光电子及MEMS等行业的生产工艺中。
仪器参数
主要技术指标 ◆ 适用硅片尺寸：4~6 " ◆ 工作温度范围：350~1000℃ ◆ 恒温长度及精度：760mm±1℃ ◆ 温度梯度：0~30℃可调 ◆ 系统极限真空度：0.8 Pa ◆ 工作压力范围：30Pa~133Pa可调 ◆ 淀积膜种类：Si3N4 片内 ＜±3% 片间 ＜±3% 批间 ＜±4% ◆ 淀积膜均匀性：Poiy－Si 片内 ＜±3% 片间 ＜±3% 批间 ＜±4% ◆ 淀积膜均匀性：SiO2 片内 ＜±3%
仪器特色&服务特色
浙江省特种设备与能源计量创平台
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