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场发射扫描电子显微镜
中南大学
FEI Electron Optics B.V，Nova NanoSEM230
湖南省
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检测范围

观察材料表面微观形貌

仪器参数

二次电子成像：高真空1.0nm (15kV)；1.6nm (1kV)；低真空 1.5nm （10kV)；1.8nm (3kV) ； 背散射电子成像：＜2.5nm (30kV）
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