检测范围
用于测量半导体材料（比如说Si, Ge, GaAs, AlGaAs, CdTe, HgCdTe等）、电磁材料（磁电阻器件、巨磁阻薄膜、稀磁半导体、超导体材料）的霍尔效应电输性质和磁电阻效应的性质，测量系统可获得的数据结果有电阻、电阻率、霍尔系数、霍尔迁移率、载流子浓度、电流-电压特性曲线。
仪器参数
最大磁场强度可达2T, 测量电阻范围为40mohm--10Mohm，测量精度小于2%。
仪器特色&服务特色
1. 半导体基新型多功能磁靶向纳米光敏剂的光动力治疗研究（61378085），国家自然科学基金面上项目(61378085)
2. 基于磁性FePt纳米粒子－发光量子点的核壳纳米结构构筑和半导体界面层对其磁光性质的调控研究，国家自然科学基金面上项目(21371071)
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