检测范围
用于导电薄膜（前者）以及半导体和绝缘体薄膜（后者）的制备，比如磁性与非磁性金属膜、 陶瓷膜、单层膜，共溅射多层膜等，还可以对薄膜进行原位加热和退火处理。
仪器参数
直流电源 射频电源
功率：500 W 功率：300 W
电压：600 V 电压：1000 V
电流：1000 mA
本底真空：10-8 Torr
衬底台最大转速：20 r/min
最高加热温度：850 ℃
均匀性：2 %
仪器特色&服务特色
1、多铁性LSCMO/PMN–PT磁电复合薄膜的制备、表征及原型器件探索，国家自然科学基金项目。
2、图纹结构Co/Pt多层膜的制备及垂直磁各向异性研究，国家自然科学基金青年基金项目（10904050）
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