等离子增强型化学气相沉积(PECVD)系统(Plasma enhanced chemical vapor deposition)
电子科技大学
TRION TECHNOLGY,INC,MINLOCK-ORION III|| ||6英寸硅片处理系统,非晶硅生长速率:100A-min;非均匀性小于3%
四川省
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仪器参数

退火温度范围:250℃~1300℃,最高升温速率:25℃/秒,适应基片最大尺寸6英寸。
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