深槽反应离子蚀刻机(Deep reactive ion etching machine)
电子科技大学
Trion,MNL/D III|| ||深Si刻蚀速率约5um/min 均匀性≤±5%
四川省
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检测范围

刻蚀硅、氧化硅、氮化硅、各种薄膜等

仪器参数

干法刻蚀si,介质薄膜等

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支撑了重大项目973,总装预研等的项目
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