PECVD 设备(Plasma enhanced chemical vapor deposition)
电子科技大学
沈阳天成真空技术所,自行设计外协加工|| ||进室出室真空度≤5Pa RF功率可调范围0-500W
四川省
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检测范围

等离子化学气相沉积a-Si、a-SiNx、a-SiOx等薄膜

仪器参数

基片尺寸6英寸,可沉积a-Si、a-SiNx、a-SiOx等薄膜,7路工作气体。
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